4月11日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队在试验室内合影。新华社记者丁汀摄

原标题：我国科学家创始第三类存储技能

新华社上海4月10日电（记者吴振东）近来，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队完结了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器材，创始了第三类存储技能，写入速度比现在U盘快一万倍，数据存储时刻也可自行决定。这处理了世界半导体电荷存储技能中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。

北京时刻4月10日，相关效果在线发表于《天然·纳米技能》杂志。

4月11日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在试验室内对硅片进行“电子束光刻”以及“界说图形”。

据了解，现在半导体电荷存储技能主要有两类，第一类是易失性存储，例如计算机中的内存，掉电后数据会当即消失；第二类对错易失性存储，例如人们常用的U盘，在写入数据后无需额定能量可保存10年。前者可在几纳秒左右写入数据，第二类电荷存储技能需求几微秒到几十微秒才能把数据保存下来。

此次研制的新式电荷存储技能，既满意了10纳秒写入数据速度，又完结了按需定制（10秒－10年）的可调控数据准非易失特性。这种全新特性不仅在高速内存中可以极大下降存储功耗，一起能完结数据有用期截止后天然消失，在特别使用场景处理了保密性和传输的对立。

4月11日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在试验室内将硅片放入仪器。

这项研讨立异性地挑选多重二维资料堆叠构成了半浮栅结构众赚家俱乐部晶体管：二硫化钼、二硒化钨、二硫化铪别离用于开关电荷输运和贮存，氮化硼作为隧穿层，制成阶梯能谷结构的范德瓦尔斯异质结。

“挑选这几种二维资料，将充分发挥二维资料的丰厚能带特性。一部分好像一道可随手开关的门，电子易进难出；另一部分像一面密不透风的墙，电子难以进出。对‘写入速度’与‘非易失性’的调控，就在于这两部分的份额。”周鹏说。

写入速度比现在U盘快一万倍，数据改写时刻是内存技能的156倍，而且具有杰出的调控性，可以完结依照数据有用时刻需求规划存储器结构……通过测验，研讨人员发现这种根据全二维资料的新式异质结可以完结全新的第三类存储特性。

4月11日，复旦大学微电子学院教授周鹏教授在硅片上成长金属电极。

科研人员称，根据二维半导体的准非易失性存储器可在大标准组成技能基础上完结高密度集成，将在极低功耗高速存储、数据有用期自由度使用等多范畴发挥重要作用。

这项科学打破由复旦大学科研团队独立完结，复旦大学专用集成电路与体系国家要点试验室为仅有单位。该项作业得到国家天然科学基金优秀青年项目和要点研讨项目的支撑。

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